三星电子最近的新消息是连续不断,就连平时默默无闻的半导体部门的工作也开始有了进展,这是推动三星大量旗舰设备工作的基础。公司今天宣布用于毫米波(mmWave)5G频谱的新一代射频集成电路(RFIC),以及全新的数字/模拟前端(DAFE)ASIC芯片组,这些芯片将为所有下一代5G基站基础设施提供动力。

  这些RFIC和ASIC是网络芯片组(在这种情况下为5G芯片组)的关键组件,最新的创新技术可将尺寸,重量和功耗降低25%,从而使5G基站的效率明显提高,同时能够更快地推出到市场。

  据称三星已宣布在美国和韩国交付超过36000台5G基站,包括近1000个天线元件和RFIC,以实现5G高速数据传输。

  三星的新RFIC采用28nm制造工艺,使其能够以高达1.4GHz的频率工作-与上一代RFIC的800MHz峰值频率相比有了明显改善。RFIC还配备了更高效的RF功率放大器,可提供直接的功率优势,同时最大限度地降低整体信号噪声。

  此外,这些RFIC解决方案的目标是28GHz和39GHz网络,这些网络频段会运用于商业实施和公共部门。展望未来,这些RFIC还将能够利用24GHz和47GHz等频段,从而最大限度地扩大其与更多全球市场的联系。

  与此同时,DAFE ASIC是三星专有的5G基础设施,它是数字模拟转换的关键,将在基站中发挥至关重要的作用。这些新技术旨在构建低延迟,低功耗设备的理念,推动即时、稳健和持久的连接标准,从而推动技术创新。

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